SQD50P03-07-T4_GE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備強(qiáng)大的電流處理能力，其最大漏極電流（ID/A）為80A，適用于高功率需求的電路設(shè)計(jì)。器件設(shè)計(jì)可承受最高30V的工作電壓（VDSS/V），適合應(yīng)用于需要穩(wěn)定高壓操作的環(huán)境。其低導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）僅為5.5毫歐，能夠在大電流條件下有效減少發(fā)熱和能量損失。柵源電壓（VGS/V）為25V時(shí)，可以確保精確的開關(guān)控制。此MOSFET適用于各類電子設(shè)備中的電源管理模塊、逆變電路以及其他需要高性能開關(guān)的應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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