IPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:15mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備50安培的最大漏極電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),確保了其在高電流和高壓環境下的穩定性。導通電阻(RDS(on))僅為15毫歐,有助于減少功率損耗并提高效率。柵源開啟電壓(VGS)為20伏,使得該元件能夠在較寬的電壓范圍內可靠操作。此MOSFET適用于需要高效能、低熱生成和緊湊設計的應用中,例如電源管理、電池充電電路以及各種電子設備中的開關控制。
