CSD19533Q5A_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于高性能電子應用，支持最大漏極電流ID達80A，擁有高達100V的最大漏源電壓VDSS。其導通電阻僅為6.4毫歐姆，有效降低了工作時的能耗。該MOSFET在柵源電壓VGS為20V條件下可達到最佳性能狀態(tài)。適用于要求嚴格控制與高效能轉換的各種場合，如電源管理、開關電路以及其他需要快速切換和低功耗特性的電子產(chǎn)品中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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