DMN10H170SK3-13_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有較高的電流承載能力，其連續(xù)漏極電流（ID/A）可達(dá)15A。器件設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)100V（VDSS/V）的工作電壓，適用于需要高壓處理的應(yīng)用場景。柵源閾值電壓（VGS/V）為20V，確保了可靠的開啟與關(guān)閉狀態(tài)。導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）低至100毫歐，有助于降低能耗，提升系統(tǒng)的整體效率。該MOSFET適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及需要高效能轉(zhuǎn)換的場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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