DMN62D0UDWQ-13_SOT-363_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的設(shè)計(jì)參數(shù)包括：最大工作電流（ID）為0.1A，漏源極間最大電壓（VDSS）為60V，導(dǎo)通狀態(tài)下的漏源電阻（RDSON）為1300毫歐，以及所需的柵源電壓（VGS）為20V。該MOSFET適用于多種電路設(shè)計(jì)中作為開關(guān)或放大元件，特別是在需要精確控制的小電流應(yīng)用中，例如電池供電的裝置或是家用電器內(nèi)的微控制器接口等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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