IPD30N03S4L09ATMA1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V的最大工作電壓（VDSS），可在高達(dá)100A的連續(xù)電流（ID/A）下工作，并且在導(dǎo)通狀態(tài)下?lián)碛械椭?.8毫歐的漏源電阻（RDSON）。其最大柵源電壓（VGS）為±20V，適合用于要求低功耗和高效率的電路設(shè)計中，例如便攜設(shè)備充電器或家用電器的電源轉(zhuǎn)換電路，能有效提升系統(tǒng)的整體效率并降低發(fā)熱。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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