SIR882DP-T1-GE3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備80A的連續漏極電流（ID/A），可在高達100V的漏源電壓（VDSS/V）下正常操作。其導通電阻（RDSON/mR）僅6.4毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）條件下，有效降低了導通時的功耗。該MOSFET適用于消費電子產品中的開關電源、DC/DC轉換器及各類負載開關應用，有助于提升系統的整體效率與可靠性。
