DMN601DWK_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有0.1A的排水電流（ID），能夠承受60V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為1300毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時提供可靠的性能。該MOSFET適用于對電流需求不高但對電壓敏感的應用，如消費電子產品的信號級驅動或低壓控制電路中作為開關使用。其特性使得它在需要精細控制的小信號處理場合中表現良好。
