SiR804DP_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）專為高效能電路設(shè)計(jì)，提供連續(xù)漏極電流ID達(dá)80安培，最大漏源電壓VDSS為30伏特，確保穩(wěn)定運(yùn)行于不同的電壓環(huán)境。其導(dǎo)通電阻RDON低至4.7毫歐，有助于減少高電流通過時(shí)的功率損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。柵源電壓VGS額定20伏特，提供了廣泛的驅(qū)動(dòng)兼容性。此元件適用于構(gòu)建開關(guān)電源、電信設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的核心電路，支持精確電流控制和快速切換功能，是實(shí)現(xiàn)緊湊且高效電力管理系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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