SI2367DS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:60mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET具有3A的連續漏極電流(ID/A),可在高達20V的漏源電壓(VDSS/V)環境下可靠操作。其導通電阻(RDSON/mR)為60毫歐姆,在12V的柵源電壓(VGS/V)條件下展現出良好的導電性能。適用于多種低功率需求的場合,例如消費電子產品的負載開關或電池供電設備中的電源路徑管理,其低功耗特性有助于延長設備的運行時間。此元件的小型化和高效性使其成為設計精密電子裝置時的重要組件。
