AO3456_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為5.8A，漏源電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON為22mΩ，柵源電壓VGS為20V。該器件適用于需要高效能與低導(dǎo)通損耗的電路設(shè)計(jì)，例如電源管理、開關(guān)穩(wěn)壓器及負(fù)載開關(guān)等場景。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少工作時的功率損耗，提高整體系統(tǒng)效率，并且支持較高的電流承載能力，適合用于緊湊型高密度電路板布局。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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