SQD25N06-22L_GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道MOSFET擁有30A的連續漏極電流（ID/A）能力，能夠承受高達60V的最大漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）僅為22毫歐，有效降低了導通狀態下的功耗。柵源電壓（VGS）的最大范圍為±20V，提供了可靠的驅動性能。該MOSFET適用于多種需要快速開關及高效能的應用場景，如個人電子設備中的DC/DC轉換器或家庭娛樂系統的電源管理模塊。
