SI2351DS-T1-GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:2.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管支持2.3A的連續(xù)漏極電流，具備20V的最大漏源電壓能力。其導(dǎo)通電阻為120毫歐姆，確保了在工作時(shí)具有較低的能量損耗。柵源電壓范圍達(dá)到12V，適合于需要高精度控制的應(yīng)用場(chǎng)合。由于其優(yōu)良的電氣特性和可靠性，該MOSFET非常適合用于消費(fèi)電子產(chǎn)品及家用設(shè)備中的電源管理電路、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他要求高效能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定工作的電子設(shè)計(jì)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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