DMN6040SK3Q-13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的連續導通電流（ID/A），最大可承受60V的漏源電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）低至22毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）下表現優異。該MOSFET適用于多種電子設備中的電源轉換及保護電路，如便攜式設備充電管理、LED照明驅動等，能有效提升系統的整體性能，并確保在高負載條件下的穩定性。其低導通電阻有助于減少熱損耗，適合用于需要高效能和可靠性的設計方案中。
