DMN6040SK3Q-13_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:30A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:22mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具備30A的連續導通電流(ID/A),最大可承受60V的漏源電壓(VDSS/V)。其導通電阻(RDSON)低至22毫歐,在20V的柵源電壓(VGS/V)下表現優異。該MOSFET適用于多種電子設備中的電源轉換及保護電路,如便攜式設備充電管理、LED照明驅動等,能有效提升系統的整體性能,并確保在高負載條件下的穩定性。其低導通電阻有助于減少熱損耗,適合用于需要高效能和可靠性的設計方案中。
