N0400P-ZK-E1-AY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:25A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:31mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管(MOSFET)具備出色的電氣特性，其最大連續漏極電流ID為25A，能夠支持較大負載。漏源電壓VDSS達到40V，保證了在較高電壓應用中的可靠性。導通電阻RDON僅為31mΩ，有效降低了開關損耗和熱產生，提高系統效率。柵源電壓VGS范圍至20V，確保了良好的驅動兼容性。這款MOSFET適合應用于需要高效能、低功耗轉換的場合，例如消費電子產品中的電源管理電路或家用電器內的控制模塊，以實現更加緊湊且節能的設計方案。
