IPD06P004N_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:64mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有穩(wěn)定的電氣性能，支持最大連續(xù)漏極電流ID達(dá)20A，適用于需要較高負(fù)載能力的場景。其漏源電壓VDSS為60V，提供足夠的過壓保護(hù)空間。導(dǎo)通電阻RDON為64mΩ，有助于減少能量損耗，提升效率。柵源電壓VGS上限至20V，確保了與多種驅(qū)動電路的良好匹配性。該MOSFET適合應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家居等領(lǐng)域的開關(guān)控制及電源管理，能夠有效增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性和能效表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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