SSM3J351R,LF_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:115mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）設計具有3安培的最大持續(xù)漏極電流（ID）和60伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要穩(wěn)定高壓操作的應用。其導通電阻（RDON）為115毫歐，能夠在高電流條件下減少發(fā)熱，提高效率。柵源極閾值電壓（VGS）設定在20伏，提供寬范圍的驅(qū)動電壓兼容性。此器件適用于多種電源管理方案，例如開關模式電源轉(zhuǎn)換、電池管理和負載切換等電路中，能夠有效控制電流流動，實現(xiàn)高效能與緊湊設計的完美結(jié)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
