FDD050N03B_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足高性能電路的需求，具有連續(xù)漏極電流ID為100安培，最大漏源電壓VDSS達(dá)30伏特，確保了在各種應(yīng)用中的穩(wěn)定表現(xiàn)。其導(dǎo)通電阻RDON僅為3.8毫歐，在高電流傳輸時(shí)能有效降低熱損耗，提升效率。柵源電壓VGS的最大值設(shè)定為20伏特，保證了與多種驅(qū)動(dòng)電路的良好兼容性。該元件適用于構(gòu)建高效開(kāi)關(guān)電源、電信設(shè)備以及各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)，支持精準(zhǔn)的電流控制和快速切換操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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