SI2319DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:68mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具備5A的連續漏極電流能力和40V的漏源電壓耐受值，適用于中低功率應用。其導通電阻為68毫歐姆，在確保電路穩定的同時控制了功耗。柵源電壓范圍達到20V，使得該器件能夠與多種邏輯電平兼容。此類MOSFET非常適合于便攜式設備、消費電子產品中的電源管理和信號開關等功能，提供了可靠的性能表現。
