Si4155DY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:12A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具備良好的導(dǎo)電性能，最大漏極電流可達(dá)12A，能夠承受的最大漏源電壓為30V。其低至10mΩ的導(dǎo)通電阻有助于減少功耗和發(fā)熱，保證了高效運(yùn)行。柵源電壓范圍在20V內(nèi)，適用于各種需要精確控制與快速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景，如電源管理、負(fù)載切換及信號(hào)放大等。這款MOSFET結(jié)合了緊湊設(shè)計(jì)與高可靠性特點(diǎn)，是電子設(shè)備中理想的開(kāi)關(guān)元件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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