NTR3C21NZT1G_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有6.5A的最大漏極電流（ID），能夠在高達20V的漏源電壓（VDSS）環(huán)境下穩(wěn)定操作。其導通電阻（RDSON）僅為14毫歐，在12V的柵源電壓（VGS）條件下展現(xiàn)出色性能。該MOSFET適用于多種電子設備中的開關應用，例如在個人電子產(chǎn)品中的電源路徑管理、電池供電裝置內(nèi)的切換開關，以及小型化的DC-DC轉換器中作為高效能的功率級元件使用，確保了電流傳輸?shù)男逝c系統(tǒng)的可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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