SQD45P03-12_GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID），能夠在30V的最大漏源電壓（VDSS）下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至5.5毫歐，確保了高電流應(yīng)用中的能效。該MOSFET支持±25V的柵源電壓（VGS），適用于需要高效能開關(guān)特性的場(chǎng)合，例如高性能計(jì)算設(shè)備的電源管理單元、便攜式充電設(shè)備以及其他注重能耗比的設(shè)計(jì)中作為負(fù)載開關(guān)或電源路徑控制元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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