FDA28N50F_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3P 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:28A 參數2:電壓VDSS:500V 參數3:RDON:150mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備28A的電流處理能力(ID),最大承受漏源電壓(VDSS)為500V,適用于多種高壓環境下的電路設計。其導通電阻(RDSON)為150毫歐,在確保電路安全的同時,減少了能量損耗。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓(VGS),是構建高壓直流轉換器、便攜式設備充電電路及其它需要高壓隔離的應用的理想選擇,提供了可靠的性能表現。
