FDA28N50F_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:28A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備28A的電流處理能力（ID），最大承受漏源電壓（VDSS）為500V，適用于多種高壓環境下的電路設計。其導通電阻（RDSON）為150毫歐，在確保電路安全的同時，減少了能量損耗。此MOSFET支持最高20V的柵源電壓（VGS），是構建高壓直流轉換器、便攜式設備充電電路及其它需要高壓隔離的應用的理想選擇，提供了可靠的性能表現。
