SI1026X-T1-GE3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有0.1A的額定電流（ID），適用于精細控制和低功耗應用場合。其最大擊穿電壓（VDSS）為60V，適用于需要高電壓穩定性的設計。導通狀態下，此MOSFET展現出了1300毫歐（mΩ）的低導通電阻（RDSON），盡管相對較高，但在微小電流應用中可以忽略其影響。柵源電壓（VGS）的最大允許值為20V，提供了寬泛的驅動信號范圍。此款MOSFET適用于精密儀器、智能家居組件或小型電子設備中的開關及信號調節功能。
