SI1026X-T1-GE3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有0.1A的額定電流（ID），適用于精細控制和低功耗應用場合。其最大擊穿電壓（VDSS）為60V，適用于需要高電壓穩(wěn)定性的設計。導通狀態(tài)下，此MOSFET展現(xiàn)出了1300毫歐（mΩ）的低導通電阻（RDSON），盡管相對較高，但在微小電流應用中可以忽略其影響。柵源電壓（VGS）的最大允許值為20V，提供了寬泛的驅動信號范圍。此款MOSFET適用于精密儀器、智能家居組件或小型電子設備中的開關及信號調節(jié)功能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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