SQ1563AEH-T1_GE3_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款場效應(yīng)管（MOSFET）屬于NP溝道類型，具備0.8A的最大漏極電流（ID），能夠承受高達(dá)20V的漏源電壓（VDSS）。其低至320毫歐的導(dǎo)通電阻（RDSON）有助于減少能量損耗。該MOSFET支持±12V范圍內(nèi)的柵源電壓（VGS），適合用于多種電子設(shè)備中的信號放大、邏輯電路或開關(guān)應(yīng)用，同時在小型化的電源管理和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的性能表現(xiàn)尤為突出。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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