Si2323DS_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET具備5A的連續(xù)漏極電流承載能力，支持最高20V的漏源電壓。其導(dǎo)通電阻低至35毫歐姆，有效減少了能量損耗并提高了效率。柵源電壓閾值為12V，適合應(yīng)用于消費(fèi)電子設(shè)備中的電源開關(guān)、負(fù)載控制及信號處理等場合。憑借優(yōu)異的電氣性能和可靠的穩(wěn)定性，該產(chǎn)品成為各類小型至中型電子項(xiàng)目設(shè)計(jì)的理想組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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