IPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:6mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具有80安培的最大導通電流(ID)和60伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于需要高效能與穩定性的電路設計。其導通電阻(RDS(on))僅為6毫歐,在20伏的柵源電壓(VGS)下,確保了低熱損耗和高效率轉換。此元件適合用于電源管理、電池充電解決方案及各類電子設備中的開關應用,能夠在保證性能的同時實現緊湊設計。憑借其優越的電氣特性,該MOSFET為工程師提供了靈活的設計選擇,同時保證了系統的可靠運行。
