TK11S10N1L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30安培的最大導通電流（ID）和100伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于高電壓和大電流環境下的電路設計。其導通電阻（RDS(on)）僅為35毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）下，能夠顯著降低發熱，提高效率。此元件憑借低導通電阻特性，適合用于電源管理、電池充電以及高效能轉換應用中，確保了穩定性和可靠性的同時，實現了緊湊的設計。
