TK11S10N1L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:30A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:35mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備30安培的最大導通電流(ID)和100伏的漏源極擊穿電壓(VDSS),適用于高電壓和大電流環境下的電路設計。其導通電阻(RDS(on))僅為35毫歐,在20伏的柵源電壓(VGS)下,能夠顯著降低發熱,提高效率。此元件憑借低導通電阻特性,適合用于電源管理、電池充電以及高效能轉換應用中,確保了穩定性和可靠性的同時,實現了緊湊的設計。
