NTMFS4C08NT1G_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有90安培的最大導(dǎo)通電流（ID）和30伏的漏源極擊穿電壓（VDSS），適用于需要處理大電流和中等電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。其極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為3.5毫歐，在20伏的柵源電壓（VGS）條件下，可以大幅減少能量損耗，提升轉(zhuǎn)換效率。此元件特別適合應(yīng)用于精密電源管理、高效能開(kāi)關(guān)電路及各類電力電子設(shè)備中，它能夠在保證高性能的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)與更低的熱輸出，為設(shè)計(jì)者提供靈活性和可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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