NVTFS5124PLTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:20A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:70mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)擁有20安培的最大連續漏極電流(ID)和60伏的漏源極斷態電壓(VDSS),適用于需要高電流承載能力和穩定電壓性能的電路設計。其導通電阻(RDON)僅為70毫歐,這有助于在大電流通過時降低能量損耗,并減少發熱。柵源極電壓(VGS)為20伏,確保了元件在高電壓條件下的可靠工作。此MOSFET適合用于要求高效能開關操作及低電阻路徑的應用中,例如電源轉換、負載控制或精密電子設備內的信號處理電路。
