FDD6637_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:5.5mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具備80A的漏極電流(ID)承載能力,以及30V的最大漏源耐壓(VDSS)。其低至5.5毫歐的導通電阻(RDSON)使得在高功率密度設計中能夠有效降低能耗。器件支持最高25V的柵源電壓(VGS),增強了電路設計時的適用范圍。此MOSFET適用于各種需要精密電源管理與信號放大的電子裝置中,如日常家用電器或個人電子設備等。
