TK50P04M1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:60A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:7.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管(MOSFET)具有60A的連續漏極電流(ID),適用于高電流需求的應用中。其最大工作電壓(VDSS)為40V,確保了在多種電壓環境下使用的安全性。導通電阻(RDSON)僅為7.7毫歐,在導通狀態下能有效降低能量損耗,提高系統的整體效率。柵源電壓(VGS)的最大值為20V,便于電路設計時的驅動控制。此MOSFET適用于需要高效能轉換與控制的場合,如電源管理模塊、便攜式設備充電電路等。
