DMP3099L_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:4.1A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:48mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備4.1A的漏極電流(ID),適合應(yīng)用于需要精確電流控制的電路中。其最大工作電壓(VDSS)為30V,能夠承受較高電壓而不損壞。導(dǎo)通電阻(RDSON)為48毫歐,有助于減少電力損耗,提升電路效率。柵源電壓(VGS)最高可達(dá)20V,提供了寬泛的驅(qū)動(dòng)信號(hào)范圍。此MOSFET適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源開關(guān)、負(fù)載穩(wěn)壓以及信號(hào)電平轉(zhuǎn)換等多種應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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