IRF630PBF_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:9A 參數2：電壓VDSS:200V 參數3：RDON:220mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備9A的連續漏極電流能力，支持高達200V的漏源電壓。其導通電阻僅為220毫歐姆，保證了較低的功率損耗與高效的電能轉換。柵源電壓范圍為20V，適用于需要精確控制和快速開關的應用場景。此MOSFET設計緊湊、性能可靠，適合于各種要求嚴苛的電子設備中作為開關元件或信號放大器使用。
