SI1553CDL-T1-GE3_SOT-363_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-363 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:0.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N+P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）涵蓋N溝道與P溝道類(lèi)型，能夠提供高達(dá)0.8A的連續(xù)排水電流（ID），并在最大20V的漏源電壓（VDSS）下穩(wěn)定運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為320毫歐，在導(dǎo)通狀態(tài)下能有效降低功耗。該MOSFET支持±12V的最大柵源電壓（VGS），適合用于設(shè)計(jì)要求緊湊高效的應(yīng)用場(chǎng)景，例如小型電子設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源或電池保護(hù)電路等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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