HUF75329D3S_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:30A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:22mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)支持高達30A的連續漏極電流(ID/A),并且能夠承受60V的最大漏源電壓(VDSS/V)。其導通電阻(RDSON)僅為22毫歐(mR),有助于減少功率損耗,提高效率。該MOSFET適用于在最大20V的柵源電壓(VGS/V)條件下運行,是設計需要高效能及可靠性的開關電源、LED照明驅動以及消費電子產品的理想選擇。
