FDMS7660AS_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高達150A的漏極電流（ID/A），適用于大電流處理的電子產(chǎn)品中。其耐壓值（VDSS/V）為30V，適合低壓大電流的應(yīng)用場景。導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）低至2毫歐，有助于減少能量損失，提高轉(zhuǎn)換效率。柵源電壓（VGS/V）為±20V，確保了可靠的柵極驅(qū)動信號識別。該MOSFET可以應(yīng)用于高性能的電源管理模塊、高功率密度的設(shè)計以及其他需要快速開關(guān)和低熱耗散的解決方案中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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