CSD18563Q5A_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的額定漏極電流（ID），可在最高60V的漏源電壓（VDSS）環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至5.3毫歐，在20V柵源電壓（VGS）下表現(xiàn)出色，有助于減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。此MOSFET適用于多種高效能電源管理場合，例如便攜式設(shè)備中的DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及需要快速開關(guān)特性的PWM控制器應(yīng)用，能夠提供可靠的電流控制和保護(hù)功能。其優(yōu)化的電氣特性使得它非常適合于對尺寸和效率有嚴(yán)格要求的現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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