CSD19537Q3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)具備高性能特點,其連續排水電流ID可達80A,適用于大電流需求的電路設計;漏源擊穿電壓VDSS為100V,確保了在高壓環境下的可靠性;導通狀態下,其漏源電阻RDSON僅為6.4毫歐,有助于減少能量損耗,提高效率。此MOSFET支持最大柵源電壓VGS為20V,適用于各種高功率密度轉換器、電源開關及電池管理系統等領域中的精密控制應用。
