GS-065-011-1-L-TR_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN8X8 類別:氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:10A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:160mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)擁有650V的漏源電壓VDSS,導通電阻RDON為160mΩ,最大連續漏極電流ID可達10A。它支持-1.4V至&V的柵源電壓范圍,并且是N溝道類型。該器件適用于需要高效能和快速響應的應用場合,如消費電子、電源管理和通信設備中,能夠提供出色的開關速度與較低的能量損耗,確保系統運行更加穩定可靠。
