IPD30N06S4L-23_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:30A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:22mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管(MOSFET)的設計參數包括:最大連續電流30A(ID),漏源電壓承受能力為60V(VDSS)。其導通電阻(RDSON)為22毫歐,有助于減少發熱和能量損失。該器件支持20V的柵源電壓(VGS),能夠確??煽康拈_關性能。適用于各類電源管理方案,如DC/DC轉換器、便攜式設備充電電路等,可在保證高效能源利用的同時,提供穩定的電流控制。
