STB55NF06LT4_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:55V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET具備49A的連續(xù)排水電流（ID/A），其最大漏源電壓（VDSS）為55V，導(dǎo)通電阻（RDSON）低至9毫歐，在高功率密度設(shè)計中表現(xiàn)出色。器件支持最大±20V的柵源電壓（VGS），確保了良好的控制特性。其優(yōu)異的電氣參數(shù)使其成為高性能開關(guān)電源、LED照明驅(qū)動以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用的理想選擇，能夠在減少能量損耗的同時提供穩(wěn)定的電流控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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