IMW120R140M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:18A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:160mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)屬于N溝道類型,其最大漏極電流ID可達18A,最高漏源電壓VDSS為1200V,導通電阻RDON低至160毫歐,柵源電壓VGS范圍為20V。該器件利用碳化硅材料的優異特性,實現了在高壓環境下的高效能與穩定性,同時保持了較低的導通損耗。適用于需要高效率轉換和高可靠性的電力電子設備中,如電源適配器、太陽能逆變器及風能轉換系統等。
