IMW120R140M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:18A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，其最大漏極電流ID可達18A，最高漏源電壓VDSS為1200V，導通電阻RDON低至160毫歐，柵源電壓VGS范圍為20V。該器件利用碳化硅材料的優異特性，實現了在高壓環境下的高效能與穩定性，同時保持了較低的導通損耗。適用于需要高效率轉換和高可靠性的電力電子設備中，如電源適配器、太陽能逆變器及風能轉換系統等。
