IMW120R090M1H_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道設(shè)計(jì)，其最大工作電流（ID/A）可達(dá)32A，適用于多種電子電路中的電流控制。器件擁有1200V的最大漏源電壓（VDSS/V），適用于需要高耐壓的應(yīng)用場(chǎng)景。導(dǎo)通狀態(tài)下，其漏源電阻（RDSON/mR）為75毫歐，有效降低了導(dǎo)通時(shí)的功耗。柵源電壓（VGS/V）為±15V，便于實(shí)現(xiàn)精確的驅(qū)動(dòng)控制。此MOSFET適用于構(gòu)建高效的開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器和其他注重高性能與可靠性的電子產(chǎn)品。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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