SC032N120T8L_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:63A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣特性，其最大導(dǎo)通電流（ID/A）為63A，能夠承受高達(dá)1200V的最大漏源電壓（VDSS/V）。導(dǎo)通電阻（RDSON/mR）僅為32毫歐姆，在確保高效能的同時，減少了功率損耗。柵源電壓（VGS/V）額定值為15V，表明其適用于需要快速開關(guān)的應(yīng)用。作為N溝道類型，該器件能夠在正向電壓下導(dǎo)通，適用于要求嚴(yán)苛的高頻開關(guān)電源以及其他需要高性能、高可靠性的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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