IMZ120R090M1H_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:36A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:80mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)擁有36A的連續(xù)電流(ID)處理能力,同時具備1200V的斷態(tài)電壓(VDSS),適用于高電壓應(yīng)用環(huán)境。其導(dǎo)通電阻(RDSON)為80毫歐,有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗。作為一款N溝道類型器件,它支持最高20V的柵源電壓(VGS),確保了在各種應(yīng)用中的可靠性和快速切換性能。此MOSFET適用于高頻開關(guān)電源、逆變技術(shù)和電力調(diào)節(jié)模塊等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
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- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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