IMW120R014M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:115A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:16mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具有115A的連續電流承載能力(ID/A),并且能夠承受最高1200V的漏源電壓(VDSS/V)。其導通電阻(RDSON/mΩ)低至16毫歐,有助于降低系統功耗。柵源電壓(VGS/V)為15V,確保了精確的開關控制。該MOSFET適用于需要高功率密度和高效能轉換的應用場合,能夠在高壓環境下提供穩定的電流控制功能。
