G2R1000MT17J_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:700mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）屬于N溝道類型，其最大工作電流ID/A可達(dá)6A，能夠承受的最大漏源電壓VDSS/V為1700V。導(dǎo)通電阻RDSON/mΩ為700毫歐，在柵源電壓VGS/V范圍內(nèi)可操作，該范圍從-4V至!8V。此MOSFET適用于要求高效率與可靠性的電路設(shè)計(jì)中，如電源轉(zhuǎn)換及高頻開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域，能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定性能，提供出色的電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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