G2R1000MT17J_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263-7L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:800/圓盤 參數(shù)1:電流ID:6A 參數(shù)2:電壓VDSS:1700V 參數(shù)3:RDON:700mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)屬于N溝道類型,其最大工作電流ID/A可達(dá)6A,能夠承受的最大漏源電壓VDSS/V為1700V。導(dǎo)通電阻RDSON/mΩ為700毫歐,在柵源電壓VGS/V范圍內(nèi)可操作,該范圍從-4V至!8V。此MOSFET適用于要求高效率與可靠性的電路設(shè)計(jì)中,如電源轉(zhuǎn)換及高頻開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定性能,提供出色的電氣特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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