G2R1000MT17J_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:700mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，其最大工作電流ID/A可達6A，能夠承受的最大漏源電壓VDSS/V為1700V。導通電阻RDSON/mΩ為700毫歐，在柵源電壓VGS/V范圍內可操作，該范圍從-4V至!8V。此MOSFET適用于要求高效率與可靠性的電路設計中，如電源轉換及高頻開關應用領域，能夠在嚴苛的工作環境下保持穩定性能，提供出色的電氣特性。
