IMZ120R090M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:32A 參數(shù)2:電壓VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:75mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)專為高性能需求設(shè)計(jì),最大漏極電流可達(dá)32A,支持1200V的漏源電壓,適用于高電壓環(huán)境。其導(dǎo)通電阻為75mΩ,有助于減少功耗并提高效率。柵源電壓為15V,確保了良好的驅(qū)動(dòng)特性。此MOSFET適合應(yīng)用于要求高效能與緊湊尺寸相結(jié)合的領(lǐng)域,如高端電源解決方案或需要在嚴(yán)苛條件下保持可靠性的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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