G3R40MT12K_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247H-4L 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:63A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:32mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具有63A的連續電流ID/A,適用于需要高效能的應用場景。其最大漏源電壓VDSS/V為1200V,提供穩定的高壓操作保障。該器件的導通電阻RDON為32毫歐,有效降低了導通狀態下的功率損耗。柵源電壓VGS/V為±15V,確保了精確的控制信號傳輸。此MOSFET適用于高頻開關電源、可再生能源轉換裝置等領域,能夠在嚴苛環境下保持良好的工作性能。
